Wafer substrate 4H-Semi SiC 3 santimetatra 76.2mm, wafers SiC semi-insulting Silicon Carbide,

Wafer substrate 4H-Semi SiC 3 santimetatra 76.2mm, wafers Silicon Carbide, SiC semi-insulting, Sary nasongadina

Famaritana fohy:

Wafer SiC kristaly tokana (Silicon Carbide) avo lenta ho an'ny indostrian'ny elektronika sy optoelektronika. Ny wafer SiC 3 santimetatra dia fitaovana semiconductor taranaka manaraka, wafer silicon-carbide semi-insulating izay 3 santimetatra ny savaivony. Ireo wafer ireo dia natao ho an'ny fanamboarana fitaovana herinaratra, RF ary optoelektronika.

Alefaso mailaka aminay

Toetoetra

Famaritana ny vokatra

Ireo takelaka substrate SiC (silicon carbide) 4H semi-insulated 3-inch dia fitaovana semiconductor ampiasaina matetika. Ny 4H dia manondro rafitra kristaly tetrahexahedral. Ny semi-insulating dia midika fa ny substrate dia manana toetra manohitra avo lenta ary azo sarahina amin'ny fikorianan'ny courant.

Ireto avy ireo toetra mampiavaka ny "wafers" toy izany: "conductivity" mafana avo lenta, fatiantoka "conductivity" ambany, fanoherana ny hafanana avo lenta tsara, ary fahamarinan-toerana mekanika sy simika tsara dia tsara. Satria manana elanelana angovo midadasika ny "silicon carbide" ary mahazaka hafanana avo lenta sy toe-javatra misy saha elektrika avo lenta, ny "wafers" semi-insulaté 4H-SiC dia ampiasaina betsaka amin'ny fitaovana elektronika herinaratra sy fitaovana radio frequency (RF).

Ireto avy ireo fampiharana lehibe ny wafer semi-insulated 4H-SiC:

1--Elektronika herinaratra: Azo ampiasaina hanamboarana fitaovana famadihana herinaratra toy ny MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors), IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors) ary Schottky diodes ny wafers 4H-SiC. Ireo fitaovana ireo dia manana fatiantoka ambany kokoa amin'ny conduction sy switching amin'ny voltase avo sy ny mari-pana avo ary manolotra fahombiazana sy fahatokisana ambony kokoa.

2--Fitaovana Fahitalavitra Radio (RF): Azo ampiasaina hanamboarana amplifier RF avo lenta, resistor puce, sivana ary fitaovana hafa ny wafer semi-insulated 4H-SiC. Ny karbida silikônina dia manana fahombiazana avo lenta kokoa sy fahamarinan-toerana ara-hafanana noho ny tahan'ny fivezivezen'ny elektrôna lehibe kokoa sy ny conductivity mafana ambony kokoa.

3--Fitaovana optoelektronika: Azo ampiasaina hanamboarana diode laser mahery vaika, mpitsikilo hazavana UV ary fizaran-tany mitambatra optoelektronika ny wafer semi-insulated 4H-SiC.

Raha ny momba ny fitarihan'ny tsena, mitombo ny fangatahana wafer semi-insulated 4H-SiC miaraka amin'ny fitomboan'ny sehatry ny elektronika herinaratra, RF ary optoelektronika. Izany dia noho ny zava-misy fa ny silicon carbide dia manana fampiharana isan-karazany, anisan'izany ny fahombiazan'ny angovo, fiara elektrika, angovo azo havaozina ary fifandraisana. Amin'ny ho avy, ny tsena ho an'ny wafer semi-insulated 4H-SiC dia mbola mampanantena ary antenaina hisolo ny fitaovana silicon mahazatra amin'ny fampiharana isan-karazany.