Famokarana substrate SiC 4H-N 6inch Dia150mm sy kilasy samirery
Ireto avy ireo endri-javatra lehibe mampiavaka ny wafers mosfet silicon carbide 6 inch;
Mahazaka voltazy avo lenta: Manana saha elektrika tapaka avo lenta ny karbida silikônina, ka ny wafer mosfet karbida silikônina 6 santimetatra dia manana fahaiza-miaritra voltazy avo lenta, mety amin'ny fampiharana voltazy avo lenta.
Hakitry ny courant avo: Manana fivezivezen'ny elektrôna lehibe ny karbida silikônina, ka mahatonga ny wafer mosfet karbida silikônina 6-inch ho manana hakitroky ny courant lehibe kokoa mba hiatrehana ny courant lehibe kokoa.
Fahita matetika miasa: Tsy dia afaka mihetsika be loatra ny karbida silikônina, ka mahatonga ny wafer mosfet karbida silikônina 6-inch ho manana fahita matetika miasa avo lenta, mety amin'ny fampiharana matetika miasa avo lenta.
Fahamarinan-toerana mafana tsara: Manana conductivity mafana avo lenta ny silikônina karbida, ka mahatonga ny wafers mosfet silikônina karbida 6-inch ho mbola manana fahombiazana tsara amin'ny tontolo iainana misy mari-pana avo.
Ny "mosque" "mosque" "mosque" "silicon carbide" 6 santimetatra dia ampiasaina betsaka amin'ireto sehatra manaraka ireto: ny elektronika herinaratra, anisan'izany ny "transformers", "rectifiers", "inverters", "power amplifiers", sns., toy ny "inverters" avy amin'ny masoandro, ny famandrihana fiara angovo vaovao, ny fitaterana an-dalamby, ny "compressor" rivotra haingam-pandeha ao amin'ny sela solika, ny mpanova DC-DC (DCDC), ny fiara elektrika ary ny fironana nomerika eo amin'ny sehatry ny foibem-baovao sy ny sehatra hafa misy fampiharana isan-karazany.
Afaka manome substrate SiC 4H-N 6inch izahay, karazana wafers substrate samihafa. Afaka mandamina ny fanamboarana araka izay ilainao ihany koa izahay. Tongasoa eto amin'ny fanontaniana!
Kisarisary amin'ny antsipiriany
