Substrate heterogeneous avo lenta ho an'ny fitaovana akostika RF (LNOSiC)

Sary nasongadina momba ny Substrate Heterogenous High-Performance ho an'ny Fitaovana Akostika RF (LNOSiC)

Famaritana fohy:

Singa tena ilaina amin'ny rafitra fifandraisana finday maoderina ny môdioly RF eo anoloana, ary anisan'ny singa fototra tena ilaina indrindra ny sivana RF. Ny fahombiazan'ny sivana RF no mamaritra mivantana ny fahombiazan'ny fampiasana spectrum, ny fahamarinan'ny signal, ny fanjifana herinaratra, ary ny fahatokisana ny rafitra amin'ny ankapobeny. Miaraka amin'ny fampidirana ny tarika matetika 5G NR sy ny fivoarana mitohy mankany amin'ny fenitra tsy misy tariby amin'ny ho avy, dia ilaina ny sivana RF mba hiasa amin'nymatetika ambony kokoa, bandwidth midadasika kokoa, haavon'ny herinaratra ambony kokoa, ary fahamarinan-toerana ara-hafanana nohatsaraina.

Amin'izao fotoana izao, mbola miankina betsaka amin'ny teknolojia avy any ivelany ny sivana RF avo lenta, raha toa kosa ka voafetra ihany ny fampandrosoana anatiny amin'ny fitaovana, ny maritrano fitaovana ary ny fomba famokarana. Noho izany dia tena zava-dehibe ny fahazoana vahaolana sivana RF avo lenta, azo ovaina ary mahomby amin'ny vidiny.

Alefaso mailaka aminay

Toetoetra

Kisarisary amin'ny antsipiriany

Topimaso momba ny vokatra

Mombamomba ny indostria sy ireo fanamby ara-teknika

Ny sivana onjam-peo surface (SAW) sy ny onjam-peo bulk (BAW) no teknolojia roa lehibe indrindra amin'ny fampiharana RF finday noho ny fifantenana matetika tsara, ny kalitao avo lenta (Q), ary ny fatiantoka fampidirana ambany. Anisan'izany, ny sivana SAW dia manolotra tombony mazava amin'nyny vidiny, ny fahamatoran'ny dingana, ary ny fahafaha-manao fanamboarana amin'ny ambaratonga lehibe, ka mahatonga azy ireo ho vahaolana mahazatra eo amin'ny indostrian'ny sivana RF ao an-toerana.

Na izany aza, miatrika fetrany manokana ireo sivana SAW mahazatra rehefa ampiharina amin'ny rafitra fifandraisana 4G sy 5G mandroso, anisan'izany:

Voafetra ny fatran'ny onjam-peo afovoany, ka mametra ny fandrakofana ny spektrum NR 5G antonony sy avo lenta
Tsy ampy ny Q factor, mametra ny bandwidth sy ny fahombiazan'ny rafitra
Fiovan'ny mari-pana miharihary
Fahaizana mitantana herinaratra voafetra

Ny fandresena ireo sakana ireo sady miaro ny tombony ara-drafitra sy ara-dingana azo avy amin'ny teknolojia SAW dia fanamby ara-teknika lehibe ho an'ny fitaovana RF akostika taranaka manaraka.

Filozofian'ny famolavolana sy fomba fiasa ara-teknika

Raha jerena ara-batana:

Matetika kokoa ny fiasanamitaky fomba akostika miaraka amin'ny hafainganam-pandeha ambony kokoa amin'ny fepetra mitovy amin'ny halavan'ny onjam-peo
Bandwidth mivelatra kokoamitaky coefficient fifandraisana elektromekanika lehibe kokoa
Fitantanana herinaratra ambony kokoamiankina amin'ny substrates manana conductivity mafana tsara, tanjaka mekanika, ary fatiantoka akostika ambany

Mifototra amin'izany fahatakarana izany,ny ekipanay injenieradia namorona fomba fiasa vaovao amin'ny fampidirana heterogeneous amin'ny alàlan'ny fampifangaroanaSarimihetsika manify piezoelektrika litiôma niobate kristaly tokana (LiNbO₃, LN)amin'nysubstrates manohana hafainganam-pandeha avo lenta, fitarihana hafanana avo lenta, toy ny silikônina karbida (SiC). Ity rafitra mitambatra ity dia antsoina hoeLNOSiC.

Teknolojia fototra: LNOSiC Heterogenous Substrate

Ny sehatra LNOSiC dia manome tombony amin'ny fahombiazana miaraka amin'ny alàlan'ny famolavolana ara-nofo sy ara-drafitra:

Fifandraisana elektromekanika avo lenta

Ny sarimihetsika manify LN kristaly tokana dia mampiseho toetra piezoelektrika tena tsara, izay ahafahana mampientanentana mahomby ny onja akostika ambonin'ny tany (SAW) sy ny onja Lamb miaraka amin'ny coefficient fifandraisana elektromekanika lehibe, ka manohana ny famolavolana sivana RF wideband.

Fahita matetika sy fampisehoana Q avo lenta

Ny hafainganam-pandehan'ny akostika avo lenta amin'ny substrate mpanohana dia ahafahana mampiasa matetika kokoa sady manakana ny fivoahan'ny angovo akostika, ka miteraka kalitao tsara kokoa.

Fitantanana ny hafanana ambony

Ny substrates mpanohana toy ny SiC dia manome conductivity mafana miavaka, izay manatsara be ny fahaiza-mitantana herinaratra sy ny fahamarinan-toerana maharitra amin'ny fampiasana azy eo ambanin'ny fepetra avo lenta amin'ny herinaratra RF.

Fifanarahana sy Fahafahana Mivelatra amin'ny Dingana

Mifanaraka tanteraka amin'ny dingana fanamboarana SAW efa misy ity substrate heterogeneous ity, izay manamora ny famindrana teknolojia milamina, ny famokarana azo ovaina ary ny famokarana mahomby.

Fifanarahana amin'ny fitaovana sy tombony amin'ny ambaratonga rafitra

Ny substrate heterogeneous LNOSiC dia manohana maritrano fitaovana akostika RF maromaro amin'ny sehatra fitaovana tokana, anisan'izany:

Sivana SAW mahazatra
Fitaovana SAW voalanjalanja ny mari-pana (TC-SAW)
Fitaovana SAW (IHP-SAW) avo lenta nohatsaraina tamin'ny insulator
Resonatora akostika onja Lamb avo lenta

Amin'ny ankapobeny, ny wafer LNOSiC tokana dia afaka manohanaSivana RF misy tarika maro izay mandrakotra ny fampiharana 3G, 4G, ary 5G, manolotra tena marinaVahaolana "All-in-One" ho an'ny substrate RF akostikaMampihena ny fahasarotan'ny rafitra ity fomba fiasa ity sady ahafahana manatsara ny fahombiazana sy mampitombo ny hakitroky ny fampidirana.

Sanda stratejika sy fiantraikany ara-indostrialy

Amin'ny alàlan'ny fiarovana ny tombony azo avy amin'ny teknolojia SAW amin'ny vidiny sy ny fizotrany sady mahatratra dingana lehibe amin'ny fahombiazana, ny substrate heterogeneous LNOSiC dia manomelalana azo ampiharina, azo amboarina ary azo ovainamankany amin'ny fitaovana RF acoustic avo lenta.

Ity vahaolana ity dia tsy vitan'ny hoe manohana ny fametrahana amin'ny ambaratonga lehibe amin'ny rafitra fifandraisana 4G sy 5G fa mametraka fototra matanjaka amin'ny fitaovana sy teknolojia ho an'ny fitaovana RF acoustic avo lenta sy mahery vaika amin'ny ho avy. Maneho dingana lehibe mankany amin'ny fanoloana anatiny ny sivana RF avo lenta sy ny fiankinan-doha amin'ny teknolojia maharitra izany.

Fanontaniana matetika apetraka momba ny LNOSIC

F1: Inona no maha samy hafa ny LNOSiC amin'ny substrates SAW mahazatra?

A:Ny fitaovana SAW mahazatra dia mazàna amboarina amin'ny substrate piezoelectric betsaka, izay mametra ny matetika, ny Q factor, ary ny fikirakirana herinaratra. Ny LNOSiC dia mampiditra sarimihetsika manify LN kristaly tokana miaraka amin'ny substrate haingam-pandeha sy mitondra herinaratra avo lenta, izay ahafahana miasa amin'ny matetika ambony kokoa, bandwidth midadasika kokoa, ary fahaiza-manao herinaratra nohatsaraina be sady mitazona ny fifanarahana amin'ny dingana SAW.

F2: Ahoana no mampitaha ny LNOSiC amin'ny teknolojia BAW/FBAR?

A:Mahay tsara amin'ny fatran'ny matetika avo dia avo ny sivana BAW saingy mitaky dingana fanamboarana sarotra ary mitaky fandaniana ambony kokoa. Manolotra vahaolana fanampiny ny LNOSiC amin'ny alàlan'ny fanitarana ny teknolojia SAW amin'ny fatran'ny matetika ambony kokoa miaraka amin'ny vidiny ambany kokoa, fahamatorana tsara kokoa, ary fahafaha-miovaova kokoa ho an'ny fampidirana tarika maro.

F3: Mety amin'ny fampiharana 5G NR ve ny LNOSiC?

A:Eny. Ny hafainganam-pandehan'ny akostika avo lenta, ny fifandraisana elektromekanika lehibe, ary ny fitantanana mafana ambony kokoa an'ny LNOSiC dia mahatonga azy ho mety tsara amin'ny sivana 5G NR antonony sy avo lenta, anisan'izany ny fampiharana izay mitaky bandwidth midadasika sy fikirakirana herinaratra avo lenta.

Momba anay

Manam-pahaizana manokana amin'ny fampivoarana, famokarana ary fivarotana fitaratra optika manokana sy fitaovana kristaly vaovao ny XKH. Manolotra fitaovana elektronika optika, fitaovana elektronika ho an'ny mpanjifa ary ho an'ny tafika ny vokatray. Manolotra singa optika Safira, fonon-tanana finday, seramika, LT, Silicon Carbide SIC, Quartz, ary wafer kristaly semiconductor izahay. Manana fahaizana manokana sy fitaovana avo lenta izahay, ary miavaka amin'ny fanodinana vokatra tsy manara-penitra, mikendry ny ho orinasa teknolojia avo lenta amin'ny fitaovana optoelektronika.