Takelaka seramika SiC misy grafita misy sosona CVD SiC ho an'ny fitaovana

Tsy ampiasaina amin'ny dingana fametrahana sarimihetsika manify fotsiny ny seramika karbida silikônina, toy ny epitaxy na MOCVD, na amin'ny fanodinana wafer, izay iharan'ny tontolo fametrahana voalohany ny fitoeran-javatra mpitondra wafer ho an'ny MOCVD, ary noho izany dia mahatohitra hafanana sy harafesina tsara. Ny mpitondra voarakotra SiC koa dia manana conductivity mafana avo lenta sy toetra tsara amin'ny fizarana hafanana.

Mpitatitra wafer misy Silicon Carbide (CVD SiC) fametrahana etona simika madio ho an'ny fanodinana fametrahana etona simika organika metaly (MOCVD) amin'ny mari-pana avo lenta.

Tsara lavitra noho ireo mpitondra wafer mahazatra ampiasaina amin'ity dingana ity ny mpitondra wafer CVD SiC madio, izay vita amin'ny grafita ary rakotra sosona CVD SiC. Ireo mpitondra wafer vita amin'ny grafita voarakotra ireo dia tsy mahazaka ny mari-pana avo (1100 hatramin'ny 1200 degre Celsius) ilaina amin'ny fametrahana GaN amin'ny jiro manga sy fotsy mamirapiratra ankehitriny. Ny mari-pana avo dia mahatonga ny coating hamorona lavaka kely izay ahafahan'ny akora simika manimba ny grafita ao ambaniny. Avy eo dia mihintsana ireo poti-grafita ary mandoto ny GaN, ka mahatonga ny mpitondra wafer voarakotra hosoloina.

Manana fahadiovana 99.999% na mihoatra ny CVD SiC ary manana conductivity mafana avo lenta sy fanoherana ny dona mafana. Noho izany, afaka mahatanty ny mari-pana avo sy ny tontolo henjana amin'ny famokarana LED mamirapiratra avo lenta izy io. Akora monolithic matanjaka izay mahatratra hakitroky teorika, mamokatra poti-javatra faran'izay kely, ary mampiseho fanoherana avo lenta amin'ny harafesina sy ny erosi. Afaka manova ny opacity sy ny conductivity ity fitaovana ity nefa tsy mampiditra loto metaly. Ny mpitondra wafer dia mazàna 17 santimetatra ny savaivony ary afaka mitazona wafers hatramin'ny 40 2-4 santimetatra.