Substrate Sic silicon carbide 2 santimetatra Karazana 6H-N 0.33mm 0.43mm Famolahana roa sosona 0.33mm 0.43mm Fitondran-tena mafana avo lenta, fanjifana herinaratra ambany

Substrate Sic silicon carbide 2 santimetatra Karazana 6H-N 0.33mm 0.43mm Famolahana roa sosona Fitondran-tena mafana avo lenta Fanjifana herinaratra ambany Sary nasongadina

Famaritana fohy:

Ny karbida silikônina (SiC) dia akora semiconductor misy elanelana misy elanelana mivelatra miaraka amin'ny fitondrana hafanana tsara dia tsara sy fahamarinan-toerana simika.6H-Ndia manondro fa hexagonal (6H) ny rafitra kristaly ao aminy, ary ny "N" dia manondro fa fitaovana semiconductor karazana-N izy io, izay mazàna tratrarina amin'ny alàlan'ny fampidirana azota.
Ny substrate silikônina karbida dia manana toetra tsara dia tsara amin'ny fanoherana ny tsindry avo, ny fanoherana ny mari-pana avo, ny fampisehoana matetika avo lenta, sns. Raha ampitahaina amin'ny vokatra silikônina, ny fitaovana nomanin'ny substrate silikônina dia afaka mampihena ny fatiantoka hatramin'ny 80% ary mampihena ny haben'ny fitaovana hatramin'ny 90%. Raha ny momba ny fiara angovo vaovao, ny silikônina karbida dia afaka manampy ny fiara angovo vaovao hahazo maivana sy hampihena ny fatiantoka, ary hampitombo ny halavirana mitondra fiara; Eo amin'ny sehatry ny fifandraisana 5G, dia azo ampiasaina amin'ny fanamboarana fitaovana mifandraika amin'izany; Amin'ny famokarana herinaratra photovoltaic dia afaka manatsara ny fahombiazan'ny fiovam-po; Ny sehatry ny fitateram-bahoaka dia afaka mampiasa ny toetrany fanoherana ny mari-pana avo sy ny tsindry avo.

Alefaso mailaka aminay

Toetoetra

Ireto manaraka ireto ny toetran'ny wafer silicon carbide 2inch

1. Hamafin'ny: Manodidina ny 9.2 ny hamafin'ny Mohs.
2. Rafitra kristaly: rafitra harato hexagonal.
3. Fitondran-tena mafana avo lenta: ny fitondran-tena mafana an'ny SiC dia avo kokoa noho ny an'ny silikônina, izay manampy amin'ny fanariana hafanana mahomby.
4. Elanelana mivelatra: eo amin'ny 3.3eV eo ho eo ny elanelana mivelatra amin'ny SiC, mety amin'ny fampiasana mari-pana avo, matetika avo ary hery avo.
5. Fahasimban'ny saha elektrika sy ny fivezivezen'ny elektrôna: Fahasimban'ny saha elektrika sy ny fivezivezen'ny elektrôna avo lenta, mety amin'ny fitaovana elektronika mahomby toy ny MOSFET sy IGBT.
6. Faharetan'ny simika sy ny fanoherana ny taratra: mety amin'ny tontolo henjana toy ny fiaramanidina sy ny fiarovam-pirenena. Fanoherana simika tsara, asidra, alkali ary solvents simika hafa.
7. Tanjaka mekanika avo lenta: Tanjaka mekanika tena tsara eo ambanin'ny mari-pana avo sy ny tsindry avo.
Azo ampiasaina betsaka amin'ny fitaovana elektronika mahery vaika, matetika avo lenta ary mari-pana avo lenta izy io, toy ny photodetectors ultraviolet, inverters photovoltaic, PCU fiara elektrika, sns.

Ny wafer silicon carbide 2inch dia manana fampiharana maro.

1. Fitaovana elektronika herinaratra: ampiasaina amin'ny famokarana MOSFET herinaratra mahomby avo lenta, IGBT ary fitaovana hafa, ampiasaina betsaka amin'ny fiovam-pahefana sy fiara elektrika.

2. Fitaovana Rf: Amin'ny fitaovana fifandraisana, ny SiC dia azo ampiasaina amin'ny amplifier avo lenta sy ny amplifier herinaratra RF.

3. Fitaovana fotoelektrika: toy ny jiro LED miorina amin'ny SIC, indrindra amin'ny fampiharana manga sy ultraviolet.

4. Sela Mpandray Hafanana: Noho ny fanoherany ny mari-pana avo sy ny simika, ny substrates SiC dia azo ampiasaina hanamboarana sela mpiandray hafanana avo sy fampiharana sela hafa.

5. Miaramila sy fiaramanidina: noho ny fanoherany ny mari-pana avo sy ny toetrany matanjaka, dia mety ampiasaina amin'ny tontolo iainana tafahoatra.

Ny sehatra fampiharana lehibe ny substrate SIC karazana 6H-N 2 "dia ahitana fiara angovo vaovao, toby fandefasana sy fanovana voltase avo lenta, entana fotsy, lamasinina haingam-pandeha, motera, inverter photovoltaic, famatsiana herinaratra pulse sy ny sisa.

Azo amboarina amin'ny hateviny samihafa ny XKH araka ny takian'ny mpanjifa. Misy karazana fitsaboana amin'ny harafesina sy ny famolahana samihafa azo atao. Misy karazana doping samihafa (toy ny doping azota). Ny fotoana fanaterana mahazatra dia 2-4 herinandro, arakaraka ny fanamboarana azy. Ampiasao ny fitaovana fonosana anti-static sy ny foam anti-hovitrovitra mba hahazoana antoka ny fiarovana ny substrate. Misy safidy fandefasana isan-karazany azo atao, ary afaka manamarina ny toetry ny logistika amin'ny fotoana tena izy ny mpanjifa amin'ny alàlan'ny laharan'ny fanaraha-maso nomena. Manome fanohanana ara-teknika sy serivisy consulting mba hahazoana antoka fa afaka mamaha olana mandritra ny fampiasana ny mpanjifa.