8Inch 200mm 4H-N SiC Wafer Conductive dummy fikarohana kilasy

Famaritana fohy:

Rehefa mivoatra ny tsenan'ny fitaterana, angovo ary indostrialy, dia mitombo hatrany ny fangatahana fitaovana elektronika azo itokisana sy mahomby.Mba hanomezana fahafaham-po ny filana fanatsarana ny fampisehoana semiconductor, ny mpanamboatra fitaovana dia mitady fitaovana semiconductor bandgap midadasika, toy ny portfolio 4H SiC Prime Grade an'ny 4H n -type silicon carbide (SiC) wafers.

Alefaso mailaka aminay

Product Detail

Tags vokatra

Noho ny fananana ara-batana sy elektronika tsy manam-paharoa, ny fitaovana semiconductor wafer 200mm SiC dia ampiasaina hamoronana fitaovana elektronika avo lenta, hafanana avo, taratra, ary fitaovana elektronika avo lenta.Ny vidin'ny substrate 8inch SiC dia mihena tsikelikely rehefa mihamitombo ny teknolojia ary mitombo ny fangatahana.Ny fivoaran'ny teknôlôjia vao haingana dia mitarika amin'ny famokarana mizana famokarana wafers SiC 200mm.Ny tombony lehibe amin'ny fitaovana semiconductor wafer SiC raha ampitahaina amin'ny wafers Si sy GaAs: Ny tanjaky ny herinaratra 4H-SiC mandritra ny fahapotehan'ny avalanche dia mihoatra ny filaharana ambony noho ny sanda mifanaraka amin'ny Si sy GaAs.Izany dia mitarika ho amin'ny fihenan'ny lehibe eo amin'ny fanjakana resistivity Ron.Ny resistivity ambany amin'ny fanjakana, miaraka amin'ny hakitroky amin'izao fotoana izao sy ny conductivity mafana, dia mamela ny fampiasana maty kely ho an'ny fitaovana herinaratra.Ny conductivity mafana amin'ny SiC dia mampihena ny fanoherana mafana amin'ny chip.Ny fananana elektronika amin'ny fitaovana mifototra amin'ny wafers SiC dia miorina tsara amin'ny fotoana sy amin'ny mari-pana, izay miantoka ny fahatokisana ny vokatra.Silicon carbide dia tena mahatohitra ny taratra mafy, izay tsy manimba ny elektronika fananana ny chip.Ny mari-pana fampandehanana avo lenta amin'ny kristaly (mihoatra ny 6000C) dia ahafahanao mamorona fitaovana azo ianteherana ho an'ny fepetra fiasa henjana sy fampiharana manokana.Amin'izao fotoana izao, afaka mamatsy mofo kely 200mmSiC izahay tsy tapaka sy tsy tapaka ary manana tahiry ao amin'ny trano fanatobiana entana.

famaritana

isa	zavatra	Unit	Famokarana	Research	Dummy
1. Paramètre
1.1	polytype	--	4H	4H	4H
1.2	orientation ambonin'ny tany	°	<11-20>4±0.5	<11-20>4±0.5	<11-20>4±0.5
2. Parameter elektrika
2.1	dopant	--	n-karazana azota	n-karazana azota	n-karazana azota
2.2	resistivity	ohm ·cm	0.015~0.025	0.01~0.03	NA
3. Parameter mekanika
3.1	savaivony	mm	200±0.2	200±0.2	200±0.2
3.2	hateviny	μm	500±25	500±25	500±25
3.3	Orientation notch	°	[1- 100]±5	[1- 100]±5	[1- 100]±5
3.4	Notch Depth	mm	1~1.5	1~1.5	1~1.5
3.5	LTV	μm	≤5(10mm * 10mm)	≤5(10mm * 10mm)	≤10(10mm * 10mm)
3.6	TTV	μm	≤10	≤10	≤15
3.7	LOHAN-TSAMBO	μm	-25~25	-45~45	-65~65
3.8	aretina	μm	≤30	≤50	≤70
3.9	afm ny	nm	Ra≤0.2	Ra≤0.2	Ra≤0.2
4. Rafitra
4.1	hakitroky micropipe	ea/cm2	≤2	≤10	≤50
4.2	votoaty metaly	atôma/cm2	≤1E11	≤1E11	NA
4.3	TSD	ea/cm2	≤500	≤1000	NA
4.4	BPD	ea/cm2	≤2000	≤5000	NA
4.5	TED	ea/cm2	≤7000	≤10000	NA
5. kalitao tsara
5.1	anoloana	--	Si	Si	Si
5.2	ambonin`ny farany	--	Si-face CMP	Si-face CMP	Si-face CMP
5.3	sombiny	ea/wafer	≤100 (habe≥0.3μm)	NA	NA
5.4	rangotra, ratra kely	ea/wafer	≤5, Total Length≤200mm	NA	NA
5.5	sisin'ny chips / indents / triatra / tasy / loto	--	tsy misy	tsy misy	NA
5.6	faritra polytype	--	tsy misy	Faritra ≤10%	Faritra ≤30%
5.7	marika eo anoloana	--	tsy misy	tsy misy	tsy misy
6. Ny kalitaon'ny lamosina
6.1	aoriana farany	--	C-face MP	C-face MP	C-face MP
6.2	rangotra, ratra kely	mm	NA	NA	NA
6.3	Sisiny lamosina chips / indents	--	tsy misy	tsy misy	NA
6.4	Ny henjana lamosina	nm	Ra≤5	Ra≤5	Ra≤5
6.5	Fanamarihana lamosina	--	Notch	Notch	Notch
7. Sisiny
7.1	sisin'ny	--	Chamfer	Chamfer	Chamfer
8. Fonosana
8.1	fonosana	--	Epi-vonona amin'ny banga fonosana	Epi-vonona amin'ny banga fonosana	Epi-vonona amin'ny banga fonosana
8.2	fonosana	--	Multi-wafer fonosana kasety	Multi-wafer fonosana kasety	Multi-wafer fonosana kasety