Ingotan'ny Lithium Tantalate LiTaO3 misy Doping Fe/Mg namboarina 4 santimetatra 6 santimetatra 8 santimetatra ho an'ny fitiliana indostrialy

Famaritana fohy:

Ny LiTaO3 Ingots (Lithium Tantalate Ingots), izay akora fototra ho an'ny semiconductors sy optoelectronics taranaka fahatelo, dia mampiasa ny mari-pana Curie avo lenta (607°C), elanelana mangarahara mivelatra (400–5,200 nm), coefficient coupling elektromekanika tsara dia tsara (Kt² >15%), ary fatiantoka dielektrika ambany (tanδ <2%) mba hanovana ny fifandraisana 5G, ny informatika kuantum, ary ny fampidirana fotonika. Amin'ny alàlan'ny teknolojia fanamboarana mandroso toy ny fitaterana etona ara-batana (PVT) sy ny fametrahana etona simika (CVD), dia manome ingots X/Y/Z-cut, 42°Y-cut, ary periodic poled (PPLT) amin'ny famaritana 3–8-inch izahay, izay ahitana hakitroky ny micropipe <0.1 cm⁻² ary hakitroky ny dislocation <500 cm⁻². Ny serivisinay dia ahitana ny doping Fe/Mg, ny proton exchange waveguides, ary ny integration heterogeneous based silicon (POI), izay miatrika sivana optika avo lenta, loharanon-jiro kuantum, ary mpitsikilo infrarouge. Ity fitaovana ity dia mitondra fandrosoana amin'ny miniaturization, ny fandidiana matetika avo lenta, ary ny fahamarinan-toerana mafana, manafaingana ny fanoloana anatiny sy ny fandrosoana ara-teknolojia.

Alefaso mailaka aminay

Toetoetra

Paramètre ara-teknika

famaritana	mahazatra	Fahitsiana avo lenta
Akora	Wafers LiTaO3(LT)/ LiNbO3	Wafers LiTaO3(LT)/LiNbO3
Fitarihana	X-112°Y,36°Y,42°Y±0.5°	X-112°Y,36°Y,42°Y±0.5°
mirazotra	30 santimetatra	10''
Mitsangana mahitsy	10'	5'
Kalitaon'ny ety ambonin'ny tany	40/20	20/10
Fanovana eo amoron'ny onja	λ/4@632nm	λ/8@632nm
Fisaka ny velarana	λ/4@632nm	λ/8@632nm
Fisokafana mazava	>90%	>90%
Chamfer	<0.2×45°	<0.2×45°
Fandeferana ny hateviny/diametatra	±0.1 mm	±0.1 mm
Refy ambony indrindra	savaivony 150 × 50mm	savaivony 150 × 50mm

Serivisy XKH

1. Fanamboarana Ingoty goavana'

Habe sy fanapahana: Boaty 3–8 santimetatra misy fanapahana X/Y/Z, fanapahana 42°Y, ary fanapahana zoro namboarina manokana (fandeferana ±0.01°).

Fanaraha-maso ny fampiasana "doping": Fampiarahana ny "Fe/Mg" amin'ny alalan'ny fomba Czochralski (eo anelanelan'ny fifantohana 10¹⁶–10¹⁹ cm⁻³) mba hanatsarana ny fanoherana ny taratra mivantana sy ny fahamarinan'ny hafanana.

2. Teknolojian'ny dingana mandroso'

Fampidirana tsy mitovy: Wafers LiTaO3 composite (POI) miorina amin'ny silikônina miaraka amin'ny fifehezana ny hateviny (300–600 nm) ary conductivity mafana hatramin'ny 8.78 W/m·K ho an'ny sivana SAW avo lenta.

Fanamboarana Waveguide: Teknika fifanakalozana proton (PE) sy fifanakalozana proton mivadika (RPE), ka mahatratra waveguide submicron (Δn >0.7) ho an'ny modulators electro-optic haingam-pandeha (bandwidth >40 GHz).

3. Rafitra fitantanana ny kalitao

Fitsapana hatrany am-piandohana ka hatramin'ny farany: Spektroskopia Raman (fanamarinana polytype), XRD (kristaly), AFM (morfolojian'ny velarana), ary fitsapana fitoviana optika (Δn <5×10⁻⁵).

4. Fanohanana ny rojo famatsiana manerantany

Fahafahana mamokatra: Vokatra isam-bolana >5.000 ingota (8-inch: 70%), manohana ny fanaterana maika ao anatin'ny 48 ora.

Tambajotra Logistika: Fandrakofana any Eoropa, Amerika Avaratra ary Azia-Pasifika amin'ny alàlan'ny fitaterana an'habakabaka/an-dranomasina miaraka amin'ny fonosana voafehy ny mari-pana.

5. Fiaraha-miasa ara-teknika

Laboratoara Fikarohana sy Fampandrosoana iraisana: Miara-miasa amin'ny sehatra fampidirana fotonika (ohatra, ny fatorana sosona SiO2 ambany fatiantoka).

FAMINTINANA

Ny LiTaO3 Ingots dia fitaovana stratejika izay manova ny optoelektronika sy ny teknolojia quantum. Amin'ny alàlan'ny fanavaozana ny fitomboan'ny kristaly (ohatra, PVT), ny fampihenana ny lesoka, ary ny fampidirana heterogeneous (ohatra, POI), dia manolotra vahaolana azo itokisana sy mahomby amin'ny vidiny ho an'ny fifandraisana 5G/6G, informatika quantum, ary IoT indostrialy izahay. Ny fanoloran-tenan'ny XKH amin'ny fampandrosoana ny fampihenana ny lesoka amin'ny ingot sy ny fampitomboana ny famokarana 8-inch dia miantoka ny fitarihan'ny mpanjifa amin'ny rojo famatsiana manerantany, mitondra ny vanim-potoana manaraka amin'ny tontolo iainana semiconductor wide-bandgap.