LiTaO3 Lithium Tantalate Ingots miaraka amin'ny Fe / Mg Doping namboarina 4inch 6inch 8inch ho an'ny indostrian'ny Sensing

LiTaO3 Lithium Tantalate Ingots miaraka amin'ny Fe / Mg Doping namboarina 4inch 6inch 8inch ho an'ny Industrial Sensing Featured Image

Famaritana fohy:

LiTaO3 Ingots (Lithium Tantalate Ingots), ho fitaovana fototra ho an'ny semiconductor sy optoelectronics midadasika taranaka fahatelo, mampiasa ny mari-pana Curie avo lenta (607).°C), ny fangaraharana midadasika (400-5,200 nm), ny coefficient electromechanika tsara indrindra (Kt²>15%), ary ny fatiantoka dielectric ambany (tanδ <2%) mba hanovana ny fifandraisana 5G, ny computing quantum ary ny fampidirana fotonika. Amin'ny alàlan'ny teknolojian'ny fanamboaran-dava toy ny fitaterana etona ara-batana (PVT) sy ny fametrahana etona simika (CVD), dia manome ingots X/Y/Z-cut, 42°Y-cut, ary poled periodic (PPLT) amin'ny 3–8-inch specifications, ahitana micropipe density <0.1 cm⁻² sy dislocation density <500 cm⁻². Ny serivisy ataonay dia ny doping Fe / Mg, ny onjam-pandrefesana proton, ary ny fampidirana heterogène mifototra amin'ny silisiôma (POI), ny firesahana amin'ny sivana optika avo lenta, loharanon-jiro quantum, ary mpitsikilo infrarouge. Ity fitaovana ity dia mitondra fandrosoana amin'ny miniaturization, fampandehanana avo lenta ary fahamarinan-toerana mafana, manafaingana ny fanoloana an-trano sy ny fandrosoana ara-teknolojia.

Alefaso mailaka aminay

Toetoetra

Parameter ara-teknika

famaritana	mahazatra	High Precision
Fitaovana	Wafers LiTaO3(LT)/ LiNbO3	LiTaO3(LT)/LiNbO3 wafers
Orientation	X-112°Y,36°Y,42°Y±0.5°	X-112°Y,36°Y,42°Y±0.5°
mirazotra	30″	10''
Perpendicular	10′	5'
surface Quality	40/20	20/10
Fanolanana onja	λ/4@632nm	λ/8@632nm
Fanakatonana ambonin'ny tany	λ/4@632nm	λ/8@632nm
Aperture mazava	>90%	>90%
Chamfer	<0.2×45°	<0.2×45°
Fandeferana ny hateviny / savaivony	± 0,1 mm	± 0,1 mm
refy ambony indrindra	dia150 × 50mm	dia150 × 50mm

Serivisy XKH

1. Fabrication ingot lehibe'

Habe sy fanapahana: 3–8-inch ingot miaraka amin'ny X/Y/Z-cut, 42°Y-cut, ary ny angular cuts (± 0.01° tolerance).

Fanaraha-maso Doping: Fe/Mg co-doping amin'ny alalan'ny fomba Czochralski (faritra fifantohana 10¹⁶–10¹⁹ cm⁻³) mba hanamafisana ny fanoherana photorefractive sy ny fahamarinan-toerana mafana.

2. Advanced Process Technologies'

Fampidirana heterogène: LiTaO3 composite wafers (POI) miorina amin'ny silikon miaraka amin'ny fanaraha-maso ny hateviny (300-600 nm) ary ny conductivity mafana hatramin'ny 8.78 W / m · K ho an'ny sivana SAW avo lenta.

Fabrication Waveguide: Teknika fifanakalozana proton (PE) sy reverse proton exchange (RPE), mahatratra submicron waveguides (Δn> 0.7) ho an'ny modulators electro-optic haingam-pandeha (bandwidth> 40 GHz).

3. Rafitra fitantanana kalitao

Fitsapana farany amin'ny farany: Raman spectroscopy (fanamarinana polytype), XRD (crystallinité), AFM (morphology surface), ary fitiliana fanamiana optika (Δn <5×10⁻⁵).

4. Fanohanana Global Supply Chain

Fahaizana famokarana: Vola isam-bolana> 5,000 ingots (8-inch: 70%), manohana ny fanaterana vonjy maika 48 ora.

Logistics Network: Fandrakofana any Eoropa, Amerika Avaratra, ary Azia-Pasifika amin'ny alàlan'ny fitaterana an'habakabaka/dranomasina miaraka amin'ny fonosana mifehy ny mari-pana.

5. Fampandrosoana ara-teknika

Labs R&D iraisana: Miara-miasa amin'ny sehatra fampidirana fotonika (ohatra, SiO2 fatorana sosona ambany fatiantoka).

FAMINTINANA

Ny LiTaO3 Ingots dia fitaovana stratejika mamolavola ny optoelectronics sy ny teknolojia quantum. Amin'ny alàlan'ny fanavaozana amin'ny fitomboan'ny kristaly (ohatra, PVT), fanalefahana ny tsy fahampiana, ary ny fampidirana heterogène (ohatra, POI), dia manome vahaolana azo itokisana sy lafo vidy ho an'ny fifandraisana 5G/6G, computing quantum ary IoT indostrialy izahay. Ny fanoloran-tena XKH amin'ny fampihenana ny tsy fahampian'ny ingot sy ny fampitomboana ny famokarana 8-inch dia miantoka ny mpanjifa hitarika amin'ny rojo famatsiana eran-tany, mitondra ny vanim-potoana manaraka amin'ny tontolo iainana semiconductor midadasika.