Tamin'ny faha-26, Power Cube Semi dia nanambara ny fivoaran'ny semiconductor MOSFET voalohany 2300V SiC (Silicon Carbide) MOSFET voalohany any Korea Atsimo.
Raha ampitahaina amin'ny semiconductor miorina amin'ny Si (Silicon) efa misy, ny SiC (Silicon Carbide) dia mahatanty voly avo kokoa, noho izany dia raisina ho fitaovana amin'ny taranaka manaraka mitarika ny hoavin'ny semiconductor herinaratra.Izy io dia singa manan-danja ilaina amin'ny fampidirana teknolojia manara-penitra, toy ny firoboroboan'ny fiara mandeha amin'ny herinaratra sy ny fanitarana ny ivontoerana angon-drakitra entin'ny faharanitan-tsaina artifisialy.
Power Cube Semi dia orinasa fabless izay mamolavola fitaovana semiconductor herinaratra amin'ny sokajy telo lehibe: SiC (Silicon Carbide), Si (Silicon), ary Ga2O3 (Gallium Oxide).Vao haingana, ny orinasa dia nampihatra sy nivarotra Schottky Barrier Diodes (SBDs) avo lenta amin'ny orinasam-pitaterana herinaratra manerantany any Shina, nahazo fankasitrahana noho ny famolavolana sy ny teknolojia semiconductor.
Ny famotsorana ny 2300V SiC MOSFET dia marihina fa tranga fampandrosoana voalohany toy izany tany Korea Atsimo.Infineon, orinasa semiconductor herinaratra eran-tany miorina any Alemaina, dia nanambara ihany koa ny fandefasana ny vokatra 2000V tamin'ny volana martsa, saingy tsy misy filaharana vokatra 2300V.
Ny 2000V CoolSiC MOSFET an'ny Infineon, mampiasa ny fonosana TO-247PLUS-4-HCC, dia mahafeno ny fitakiana ny fitomboan'ny hakitroky ny herinaratra eo amin'ireo mpamorona, miantoka ny fahatokisan'ny rafitra na dia ao anatin'ny fepetra henjana avo lenta sy miovaova aza.
Ny CoolSiC MOSFET dia manome voltora mivantana mivantana avo kokoa, izay ahafahana mampitombo ny herinaratra nefa tsy mampitombo ny ankehitriny.Izy io no fitaovana karbida silisiôma discrete voalohany eny an-tsena miaraka amin'ny voltase simba 2000V, mampiasa ny fonosana TO-247PLUS-4-HCC miaraka amin'ny halaviran'ny creepage 14mm ary ny fivoahana 5.4mm.Ireo fitaovana ireo dia manasongadina fatiantoka kely ary mety amin'ny fampiharana toy ny inverters tady masoandro, rafitra fitahirizana angovo ary famandrihana fiara elektrika.
Ny andiany vokatra CoolSiC MOSFET 2000V dia mety amin'ny rafitra fiara fitateram-pitaterana DC mahery vaika hatramin'ny 1500V DC.Raha ampitahaina amin'ny MOSFET 1700V SiC, ity fitaovana ity dia manome mari-pamantarana overvoltage ampy ho an'ny rafitra 1500V DC.Ny CoolSiC MOSFET dia manolotra volavolan-tsolika 4.5V ary tonga miaraka amin'ny diode vatana matanjaka ho an'ny fifindrana mafy.Miaraka amin'ny teknolojia fifandraisana .XT, ireo singa ireo dia manolotra fampisehoana mafana tsara sy fanoherana ny hamandoana matanjaka.
Ho fanampin'ny 2000V CoolSiC MOSFET, Infineon dia hanomboka tsy ho ela ny diodes CoolSiC mifameno ao anaty fonosana TO-247PLUS 4-pin sy TO-247-2 amin'ny telovolana fahatelo amin'ny 2024 sy ny ampahefatry ny taona 2024.Ireo diodes ireo dia mety indrindra amin'ny fampiharana masoandro.Misy ihany koa ny fitambaran'ny vokatra mpamily vavahady mifanentana.
Ny andiany vokatra CoolSiC MOSFET 2000V dia hita eny an-tsena ankehitriny.Ankoatra izany, ny Infineon dia manolotra birao fanombanana mety: EVAL-COOLSIC-2KVHCC.Ny mpamorona dia afaka mampiasa ity solaitra ity ho toy ny sehatra fitsapana ankapobeny mba hanombanana ny CoolSiC MOSFETs sy diodes rehetra nomena isa 2000V, ary koa ny EiceDRIVER compact single-channel isolation gate driver 1ED31xx vokatra andiany amin'ny alàlan'ny fiasan'ny PWM dual-pulse na mitohy.
Gung Shin-soo, Lehiben'ny Teknolojian'ny Power Cube Semi, dia nilaza hoe: "Afaka nanitatra ny traikefanay izahay tamin'ny fampandrosoana sy ny famokarana faobe ny 1700V SiC MOSFETs ho 2300V.
Fotoana fandefasana: Apr-08-2024