Ny wafers SiC dia semiconductor vita amin'ny karbida silisiôna.Ity fitaovana ity dia novolavolaina tamin'ny 1893 ary mety amin'ny fampiharana isan-karazany.Mety indrindra ho an'ny Schottky diodes, junction sakana Schottky diodes, switch ary metaly-oxide-semiconductor field-effect transistors.Noho ny hamafin'ny avo, dia safidy tsara ho an'ny herinaratra singa elektronika.
Amin'izao fotoana izao, misy karazany roa lehibe ny SiC wafers.Ny voalohany dia wafer voapoizina, izay wafer silisiôma carbide tokana.Izy io dia vita amin'ny kristaly SiC madio indrindra ary mety ho 100mm na 150mm amin'ny savaivony.Izy io dia ampiasaina amin'ny fitaovana elektronika mahery vaika.Ny karazany faharoa dia epitaxial kristaly silisiôma carbide wafer.Ity karazana wafer ity dia vita amin'ny fampidirana kristaly karbida silisiôma tokana amin'ny tany.Ity fomba ity dia mitaky fanaraha-maso tsara ny hatevin'ny fitaovana ary fantatra amin'ny anarana hoe epitaxy N-karazana.
Ny karazana manaraka dia beta silicon carbide.Beta SiC dia vokarina amin'ny mari-pana mihoatra ny 1700 degre Celsius.Alfa carbide no fahita indrindra ary manana rafitra kristaly hexagonal mitovy amin'ny wurtzite.Ny endrika beta dia mitovy amin'ny diamondra ary ampiasaina amin'ny fampiharana sasany.Izy io no safidy voalohany ho an'ny vokatra semi-vita vita amin'ny herinaratra.Mpamatsy wafer silisiôma karbida avy amin'ny antoko fahatelo no miasa amin'ity fitaovana vaovao ity.
ZMSH SiC wafers dia fitaovana semiconductor malaza.Izy io dia fitaovana semiconductor avo lenta izay mety tsara amin'ny fampiharana maro.ZMSH silicone carbide wafers dia fitaovana tena ilaina amin'ny fitaovana elektronika isan-karazany.Ny ZMSH dia manome karazana wafer sy substrate SiC avo lenta.Izy ireo dia misy amin'ny endrika N-karazana sy semi-insulated.
2---Silicon Carbide: Mankamin'ny vanim-potoana vaovaon'ny wafers
Ny toetra ara-batana sy ny toetran'ny silisiôma carbide
Silicon carbide dia manana rafitra kristaly manokana, mampiasa rafitra hexagonal akaiky feno mitovy amin'ny diamondra.Ity rafitra ity dia ahafahan'ny karbida silisiôna manana conductivity mafana tsara sy fanoherana ny hafanana ambony.Raha ampitahaina amin'ny fitaovana silisiôma nentim-paharazana, ny karbida silisiôma dia manana sakan'ny elanelana lehibe kokoa, izay manome elanelana bebe kokoa amin'ny tarika elektronika, ka mahatonga ny fifindran'ny elektronika ambony kokoa sy ny fihenan'ny leakage.Ho fanampin'izany, ny karbida silisiôma dia manana hafainganam-pandeha avo lenta kokoa amin'ny saturation elektrônika sy ny fanoherana ny fitaovana mihitsy, manome fampisehoana tsara kokoa ho an'ny fampiharana herinaratra avo lenta.
Fampiasana tranga sy ny fanantenana ny silisiôma carbide wafers
Fampiharana elektronika herinaratra
Ny wafer silicone carbide dia manana fahatsinjovana fampiharana malalaka amin'ny sehatry ny elektronika herinaratra.Noho ny fivezivezena elektronika avo lenta sy ny conductivity mafana tsara, ny wafers SIC dia azo ampiasaina amin'ny fanamboarana fitaovana famarotana angovo avo lenta, toy ny maody herinaratra ho an'ny fiara elektrika sy mpanova masoandro.Ny fahamarinan-toeran'ny mari-pana ambony amin'ny wafers silisiôma carbide dia ahafahan'ireo fitaovana ireo miasa amin'ny tontolo mafana, manome fahombiazana sy fahatokisana bebe kokoa.
Fampiharana optoelectronic
Eo amin'ny sehatry ny fitaovana optoelektronika, ny wafers silisiôma carbide dia mampiseho ny tombontsoany manokana.Ny fitaovana karbida silikônika dia manana toetran'ny elanelana midadasika, izay ahafahany mahatratra angovo photonon avo sy fahaverezan'ny hazavana ambany amin'ny fitaovana optoelectronic.Silicon carbide wafers dia azo ampiasaina hanomanana fitaovana fifandraisana haingam-pandeha, photodetector ary laser.Ny conductivity mafana tsara sy ny hakitroky kristaly ambany dia mahatonga azy ho tonga lafatra amin'ny fanomanana fitaovana optoelektronika avo lenta.
MISY
Miaraka amin'ny fitomboan'ny fangatahana fitaovana elektronika avo lenta, ny wafers karbida silisiôma dia manana ho avy mampanantena ho fitaovana manana fananana tena tsara sy mety ho fampiharana malalaka.Miaraka amin'ny fanatsarana tsy tapaka ny teknolojia fanomanana sy ny fampihenana ny vidiny, dia hampiroborobo ny fampiharana ara-barotra ny silisiôma carbide wafers.Antenaina fa ao anatin'ny taona vitsivitsy, ny wafers silisiôma karbida dia hiditra tsikelikely eny an-tsena ary ho lasa safidy mahazatra ho an'ny fampiharana herinaratra avo lenta, matetika ary hafanana avo.
3 --- Famakafakana lalina momba ny tsenan'ny wafer SiC sy ny fironana teknolojia
Famakafakana lalina momba ny mpanamboatra tsena wafer silisiôma (SiC).
Ny fitomboan'ny tsenan'ny wafer silicon carbide (SiC) dia misy fiantraikany amin'ny lafin-javatra lehibe maro, ary ny famakafakana lalina ny fiantraikan'ireo anton-javatra ireo amin'ny tsena dia zava-dehibe.Ireto ny sasany amin'ireo mpitarika tsena lehibe:
Fitsitsitsitsitsitsitsitsitsitsitsitsitsitsy sy fiarovana ny tontolo iainana: Ny fampisehoana avo lenta sy ny fanjifana herinaratra ambany amin'ny akora karbida silisiôma dia mahatonga azy io ho malaza amin'ny sehatry ny fitsitsiana angovo sy ny fiarovana ny tontolo iainana.Ny fangatahana fiara elektrika, mpanova masoandro ary fitaovana fiovam-po hafa dia mitarika ny fitomboan'ny tsenan'ny wafers karbida silika satria manampy amin'ny fampihenana ny fako angovo izany.
Fampiharana Power Electronics: Ny karbida silikônika dia tsara indrindra amin'ny fampiharana elektronika herinaratra ary azo ampiasaina amin'ny fitaovana elektronika amin'ny alàlan'ny tsindry ambony sy ny hafanana ambony.Miaraka amin'ny lazan'ny angovo azo havaozina sy ny fampiroboroboana ny fifindrana herinaratra elektrika, dia mitombo hatrany ny fangatahana wafers karbida silisiôma ao amin'ny tsenan'ny elektronika herinaratra.
SiC wafers amin'ny ho avy famokarana teknolojia fampandrosoana fironana fanadihadiana amin'ny antsipiriany
Famokarana faobe sy fampihenana ny vidiny: Ny famokarana wafer SiC ho avy dia hifantoka bebe kokoa amin'ny famokarana faobe sy fampihenana ny vidiny.Tafiditra ao anatin'izany ny teknika fitomboana nohatsaraina toy ny fametrahana etona simika (CVD) sy ny fametrahana etona ara-batana (PVD) mba hampitomboana ny vokatra sy hampihenana ny vidin'ny famokarana.Ho fanampin'izay, antenaina hanatsara bebe kokoa ny fahombiazana ny fandraisana ireo dingana famokarana marani-tsaina sy mandeha ho azy.
Ny haben'ny wafer vaovao sy ny rafitra: Ny habe sy ny firafitry ny wafers SiC dia mety hiova amin'ny ho avy mba hanomezana ny filan'ny fampiharana samihafa.Mety ahitana wafers savaivony lehibe kokoa, rafitra heterogène, na wafers maro sosona mba hanomezana fahafaham-po kokoa ny famolavolana sy safidy amin'ny fampisehoana.
Fahombiazan'ny angovo sy ny famokarana maitso: Ny famokarana wafers SiC amin'ny ho avy dia hanome lanja bebe kokoa ny fahombiazan'ny angovo sy ny famokarana maitso.Ny orinasa mampiasa angovo azo havaozina, akora maitso, fanodinana fako ary fomba famokarana ambany karbônina dia ho lasa fironana amin'ny famokarana.
Fotoana fandefasana: Jan-19-2024