2 mirefy SiC Wafers 6H na 4H Semi-Insulating SiC substrates Dia50.8mm

Famaritana fohy:

Silicon carbide (SiC) dia fitambarana mimari-droa ao amin'ny Vondrona IV-IV, io no hany fitambarana mafy orina ao amin'ny Vondrona IV an'ny tabilao periodika misy singa, semiconductor manan-danja izy io.Ny SiC dia manana toetra mafana, mekanika, simika ary elektrika tena tsara, izay mahatonga azy ho iray amin'ireo fitaovana tsara indrindra amin'ny fanamboarana fitaovana elektronika avo lenta, avo lenta ary avo lenta.

Alefaso mailaka aminay

Product Detail

Tags vokatra

Fampiharana ny substrate silisiôma carbide

Silicon carbide substrate azo zaraina ho conductive karazana sy semi-insulating karazana araka ny resistivity.Ny fitaovana karbida silisiôma conductive dia ampiasaina indrindra amin'ny fiara elektrika, famokarana herinaratra photovoltaic, fitaterana fiarandalamby, foibe data, fiampangana ary fotodrafitrasa hafa.Ny indostrian'ny fiara elektrônika dia manana fangatahana lehibe ho an'ny substrate karbida silisiôma conductive, ary amin'izao fotoana izao, Tesla, BYD, NIO, Xiaopeng ary ireo orinasam-pitaterana angovo vaovao hafa dia nikasa ny hampiasa fitaovana na maody discrete silicon carbide.

Ny fitaovana karbida silisiôma semi-insulated dia ampiasaina indrindra amin'ny fifandraisana 5G, fifandraisana amin'ny fiara, fampiharana fiarovana nasionaly, fandefasana data, aerospace ary sehatra hafa.Amin'ny alàlan'ny fampitomboana ny sosona epitaxial gallium nitride amin'ny substrate karbida silisiôma semi-insulated, ny wafer epitaxial gallium nitride miorina amin'ny silika dia azo atao bebe kokoa ho fitaovana RF microwave, izay ampiasaina indrindra amin'ny sehatry ny RF, toy ny fanamafisam-pahefana amin'ny fifandraisana 5G sy radio detectors amin'ny fiarovam-pirenena.

Ny famokarana vokatra substrate silisiôma karbida dia misy ny fampivoarana fitaovana, ny synthesis akora, ny fitomboan'ny kristaly, ny fanapahana kristaly, ny fanodinana wafer, ny fanadiovana sy ny fitsapana, ary ny rohy maro hafa.Raha ny momba ny akora, ny indostrian'ny Songshan Boron dia manome akora silisiôma carbide ho an'ny tsena, ary nahavita varotra kely.Ny fitaovana semiconductor andiany fahatelo asehon'ny karbida silisiôma dia mitana anjara toerana lehibe amin'ny indostria maoderina, miaraka amin'ny fanafainganana ny fidirana amin'ny fiara angovo vaovao sy ny fampiharana photovoltaic, ny fangatahana substrate karbida silisiôma dia ho tonga amin'ny teboka iray.