Mpitsikilo hazavana APD substrate epitaxial InP 2 santimetatra 3 santimetatra 4 santimetatra ho an'ny fifandraisana fibre optique na LiDAR

Sary nasongadina momba ny fitaovana mpitsikilo hazavana APD substrate epitaxial InP 2inch 3inch 4inch ho an'ny fifandraisana fibre optique na LiDAR

Famaritana fohy:

Ny substrate epitaxial InP no akora fototra amin'ny fanamboarana APD, izay matetika akora semiconductor napetraka eo amin'ny substrate amin'ny alàlan'ny teknolojia fitomboana epitaxial. Ny akora ampiasaina matetika dia ahitana silikônina (Si), gallium arsenide (GaAs), gallium nitride (GaN), sns., izay manana toetra photoelectric tsara dia tsara. Ny photodetector APD dia karazana photodetector manokana izay mampiasa ny vokatry ny avalanche photoelectric mba hanatsarana ny famantarana famantarana. Rehefa miditra amin'ny APD ny photons, dia miteraka tsiroaroa electron-hole. Ny fanafainganana ireo mpitatitra ireo eo ambany fiantraikan'ny saha elektrika dia mety hitarika amin'ny fiforonan'ny mpitatitra bebe kokoa, izay "vokatry ny avalanche", izay mampitombo be ny courant output.
Ireo "wafers epitaxial" novolena tamin'ny alalan'ny MOCvD no ifantohan'ny fampiharana diode "avalanche photodetection". Ny sosona absorption dia nomanina tamin'ny alalan'ny fitaovana U-InGaAs miaraka amin'ny doping <5E14. Ny sosona miasa dia afaka mampiasa InP na InAlAslayer. Ny substrate epitaxial InP no fitaovana fototra amin'ny fanamboarana APD, izay mamaritra ny fahombiazan'ny "detector" optika. Ny "photodetector" APD dia karazana "photodetector" avo lenta, izay ampiasaina betsaka amin'ny sehatry ny fifandraisana, ny fahatsapana ary ny sary.

Alefaso mailaka aminay

Toetoetra

Ireo endri-javatra fototra amin'ny takelaka epitaxial laser InP dia ahitana

1. Toetran'ny elanelan'ny tarika: Manana elanelan'ny tarika tery ny InP, izay mety amin'ny fitadiavana hazavana infrarouge lavareny, indrindra amin'ny elanelan'ny halavan'ny onjam-peo 1.3μm hatramin'ny 1.5μm.
2. Fahombiazana optika: Ny sarimihetsika epitaxial InP dia manana fahombiazana optika tsara, toy ny herin'ny hazavana sy ny fahombiazan'ny kuantum ivelany amin'ny halavan'ny onjam-peo samihafa. Ohatra, amin'ny 480 nm, ny herin'ny hazavana sy ny fahombiazan'ny kuantum ivelany dia 11.2% sy 98.8% tsirairay avy.
3. Dinamika mpitatitra: Ny nanoparticles InP (NPs) dia mampiseho fihetsika fihenana eksponensialy roa sosona mandritra ny fitomboana epitaxial. Ny fotoana fihenana haingana dia vokatry ny fampidirana mpitatitra ao amin'ny sosona InGaAs, raha toa kosa ny fotoana fihenana miadana dia mifandraika amin'ny fifangaroan'ny mpitatitra ao amin'ny InP NPs.
4. Toetra mampiavaka ny mari-pana avo: Ny akora lavadrano kuantum AlGaInAs/InP dia manana fahombiazana tsara amin'ny mari-pana avo, izay afaka misoroka tsara ny fivoahan'ny rano ary manatsara ny toetran'ny laser amin'ny mari-pana avo.
5. Dingana fanamboarana: Matetika ny takelaka epitaxial InP dia ambolena eo amin'ny substrate amin'ny alàlan'ny teknolojia molecular beam epitaxy (MBE) na ny teknolojia metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) mba hahazoana sarimihetsika avo lenta.
Ireo toetra ireo no mahatonga ny wafer epitaxial laser InP ho azo ampiasaina betsaka amin'ny fifandraisana fibre optika, fizarana lakile kuantum ary fitadiavana optika lavitra.

Ny fampiasana lehibe ny takelaka epitaxial laser InP dia ahitana

1. Fotonika: Ny laser sy mpitsikilo InP dia ampiasaina betsaka amin'ny fifandraisana optika, foibe angon-drakitra, sary infrarouge, biometrika, fahatsapana 3D ary LiDAR.

2. Fifandraisan-davitra: Ny fitaovana InP dia manana fampiharana manan-danja amin'ny fampidirana laser lava onjam-peo miorina amin'ny silikônina amin'ny ambaratonga lehibe, indrindra amin'ny fifandraisana amin'ny fibre optika.

3. Laser infrarouge: Fampiharana ny laser lavadrano koantika miorina amin'ny InP ao amin'ny tarika infrarouge antonony (toy ny 4-38 microns), anisan'izany ny fahatsapana entona, ny fitadiavana fipoahana ary ny fakana sary infrarouge.

4. Fotonika silisiôma: Amin'ny alàlan'ny teknolojia fampidirana heterogeneous, ny laser InP dia afindra any amin'ny substrate mifototra amin'ny silisiôma mba hamorona sehatra fampidirana optoelektronika silisiôma maro fiasa.

5. Laser avo lenta: Ampiasaina hanamboarana laser avo lenta ny akora InP, toy ny laser transistor InGaAsP-InP manana halavan'ny onjam-peo 1.5 microns.

Manolotra wafer epitaxial InP namboarina manokana miaraka amin'ny rafitra sy hatevina samihafa ny XKH, izay mandrakotra fampiharana isan-karazany toy ny fifandraisana optika, sensor, toby fototra 4G/5G, sns. Ny vokatra XKH dia amboarina amin'ny alàlan'ny fitaovana MOCVD mandroso mba hahazoana antoka ny fahombiazana sy ny fahatokisana avo lenta. Raha ny resaka logistika, ny XKH dia manana fantsona loharano iraisam-pirenena isan-karazany, afaka mitantana mora foana ny isan'ny baiko, ary manome serivisy fanampiny toy ny fanalefahana, ny fizarana, sns. Ny dingana fanaterana mahomby dia miantoka ny fanaterana ara-potoana ary mahafeno ny fepetra takian'ny mpanjifa momba ny kalitao sy ny fotoana fanaterana. Rehefa tonga ny mpanjifa dia afaka mahazo fanohanana ara-teknika feno sy serivisy aorian'ny fivarotana mba hahazoana antoka fa ampiasaina tsara ny vokatra.