3inch Dia76.2mm SiC substrates HPSI Prime Research sy Dummy grade

Conductive substrate: manondro ny resistivity ny 15 ~ 30mΩ-cm silisiôma carbide substrate.Ny wafer epitaxial silisiôma karbida nambolena avy amin'ny substrate karbida silisiôma conductive dia azo atao bebe kokoa amin'ny fitaovana herinaratra, izay ampiasaina betsaka amin'ny fiara angovo vaovao, photovoltaics, smart grids, ary fitaterana lalamby.

Semi-insulating substrate dia manondro ny resistivity ambony noho ny 100000Ω-cm silisiôma carbide substrate, indrindra ampiasaina amin'ny fanamboarana ny gallium nitride microwave fitaovana matetika onjam-peo, no fototry ny Wireless fifandraisana an-tsaha.

Izy io dia singa fototra amin'ny sehatry ny fifandraisana an-tariby.

Silicon carbide conductive sy semi-insulating substrate dia ampiasaina amin'ny isan-karazany ny fitaovana elektronika sy ny hery fitaovana, anisan'izany fa tsy voafetra ho ireto manaraka ireto:

Fitaovana semiconductor avo lenta (conductive): Ny substrate silikon carbide dia manana tanjaky ny saha sy ny conductivity mafana, ary mety amin'ny famokarana transistors sy diodes ary fitaovana hafa.

Fitaovana elektronika RF (semi-insulated): Ny substrate Silicon Carbide dia manana hafainganam-pandeha avo lenta sy fandeferana herinaratra, mety amin'ny fampiharana toy ny fanamafisam-pahefana RF, fitaovana mikraoba ary switch matetika.

Fitaovana optoelektronika (semi-insulated): Ny substrate silicone carbide dia manana hantsana angovo midadasika sy fitoniana mafana avo lenta, mety amin'ny fanaovana photodiodes, cellule solaire ary laser diodes ary fitaovana hafa.

Fandrefesana mari-pana (conductive): Ny substrate silikon karbida dia manana conductivity mafana sy fahamarinan-toerana mafana, mety amin'ny famokarana fitaovana fandrefesana hafanana sy mari-pana.

Ny fizotran'ny famokarana sy ny fampiharana ny substrate conductive sy semi-insulating silisiôma dia manana sehatra maro sy mety, manome fahafahana vaovao ho an'ny fampivoarana fitaovana elektronika sy fitaovana herinaratra.