100mm 4inch GaN amin'ny safira Epi-layer wafer Gallium nitride epitaxial wafer

Famaritana fohy:

Gallium nitride epitaxial sheet dia solontenan'ny taranaka fahatelo amin'ny fitaovana epitaxial semiconductor midadasika midadasika, izay manana fananana tena tsara toy ny elanelan'ny tarika midadasika, ny tanjaky ny fahatapahana avo lenta, ny conductivity mafana avo, ny hafainganam-pandehan'ny elektronika avo lenta, ny fanoherana ny taratra mahery ary ny avo fitoniana simika.

Alefaso mailaka aminay

Product Detail

Tags vokatra

Ny dingan'ny fitomboan'ny GaN manga LED quantum well structure.Toy izao manaraka izao ny fizotran'ny dingana amin'ny antsipiriany

(1) Ny hafanana avo lenta, ny substrate safira dia nafanaina voalohany tamin'ny 1050 ℃ ao anaty atmosfera hidrôzenina, ny tanjona dia ny fanadiovana ny substrate;

(2) Rehefa midina ho 510 ℃ ny mari-pana amin'ny substrate, dia napetraka eo ambonin'ny substrate safira ny hafanana ambany GaN / AlN buffer sosona miaraka amin'ny hatevin'ny 30nm;

(3) Ny fiakaran'ny mari-pana amin'ny 10 ℃, ny amoniaka fanehoan-kevitra, ny trimethylgallium ary ny silane dia voatsindrona, samy manara-maso ny taham-pidirana mifanaraka amin'izany, ary ny silisiôma-doped N-karazana GaN amin'ny hatevin'ny 4um dia mitombo;

(4) Ny entona fanehoan-kevitra avy amin'ny aluminium trimethyl sy trimethyl gallium dia nampiasaina mba hanomanana kontinanta N-karazana A⒑ silisiôma miaraka amin'ny hatevin'ny 0.15um;

(5) 50nm Zn-doped InGaN dia nomanina tamin'ny fampidirana trimethylgallium, trimethylindium, diethylzinc ary amoniaka amin'ny hafanana 8O0 ℃ ary mifehy ny tahan'ny fikorianan'ny tsirairay;

(6) Nitombo ny mari-pana ho 1020 ℃, trimethylaluminum, trimethylgallium ary bis (cyclopentadienyl) magnesium dia natsindrona mba hanomanana 0.15um Mg doped P-karazana AlGaN sy 0.5um Mg doped P-karazana G glucose;

(7) Ny sarimihetsika P-karazana GaN Sibuyan avo lenta dia azo tamin'ny alàlan'ny fanalefahana ny atmosfera azota amin'ny 700 ℃;

(8) Etching amin'ny P-karazana G stasis ambonin'ny mba hanambara ny N-karazana G stasis ambonin'ny;

(9) Evaporation ny Ni / Au fifandraisana takelaka amin'ny p-GaNI ambonin'ny, evaporation ny △/Al fifandraisana takelaka amin'ny ll-GaN ambonin'ny mba hamorona electrodes.

fepetra arahana

zavatra	GaN-TCU-C100	GaN-TCN-C100
lafiny	e 100 mm ± 0,1 mm
hateviny	4.5±0.5um Azo namboarina
Orientation	fiaramanidina C(0001) ±0.5°
Karazana Conduction	N-karazana (tsy voafehy)	N-karazana (Si-doped)
Resistivity (300K)	<0.5 Q・cm	<0.05 Q・cm
Concentration mpitatitra	< 5x10¹⁷cm^-3	> 1x10¹⁸cm^-3
mivezivezy	~ 300 sm²/Vs	~ 200 sm²/Vs
Dislocation Density	Latsaky ny 5x10⁸cm^-2(kajy nataon'ny FWHM an'ny XRD)
Rafitra substrate	GaN amin'ny Safira (Standard: Safidy SSP: DSP)
Faritra Surface azo ampiasaina	> 90%
Package	Fonosana ao amin'ny kilasy 100 efitra madio tontolo iainana, ao amin'ny kasety ny 25pcs na fitoeran-javatra wafer tokana, eo ambanin'ny atmosfera azota.