50.8mm 2inch GaN amin'ny safira Epi-layer wafer

Famaritana fohy:

Amin'ny maha-fitaovana semiconductor andiany fahatelo, ny gallium nitride dia manana tombony amin'ny fanoherana ny mari-pana ambony, ny fifanarahana avo lenta, ny conductivity mafana ary ny elanelana midadasika.Araka ny fitaovana substrate samy hafa, ny gallium nitride epitaxial sheets dia azo zaraina ho sokajy efatra: gallium nitride mifototra amin'ny gallium nitride, silisiôma carbide mifototra gallium nitride, safira mifototra gallium nitride sy silisiôma nitride gallium nitride.Silicon-based gallium nitride epitaxial sheet no be mpampiasa indrindra amin'ny vidiny famokarana ambany sy ny teknolojia famokarana matotra.

Alefaso mailaka aminay

Product Detail

Tags vokatra

Fampiharana ny gallium nitride GaN epitaxial sheet

Miorina amin'ny fahombiazan'ny gallium nitride, ny chips epitaxial gallium nitride dia mety indrindra amin'ny fampiasana herinaratra avo, matetika ary ambany.

Hita taratra amin'ny:

1) Avo bandgap: Ny bandgap avo dia manatsara ny haavon'ny volkano amin'ny fitaovana gallium nitride ary afaka mamoaka hery ambony kokoa noho ny fitaovana gallium arsenide, izay mety indrindra amin'ny tobin'ny fifandraisana 5G, radar miaramila ary sehatra hafa;

2) Fahombiazan'ny fiovam-po avo: ny fanoherana ny fitaovana elektronika gallium nitride switching dia 3 baiko ambany kokoa noho ny an'ny fitaovana silisiôma, izay mety hampihena ny fahaverezan'ny on-switching;

3) High thermal conductivity: ny hafanana mafana conductivity ny gallium nitride mahatonga azy ho tsara ny hafanana fanaparitahana fampisehoana, mety amin'ny famokarana ny hery avo, ny mari-pana ambony sy ny saha hafa ny fitaovana;

4) Fahatapahan'ny herin'ny herinaratra elektrika: Na dia akaiky ny tanjaky ny gallium nitride aza ny tanjaky ny angovo elektrika, noho ny fizotran'ny semiconductor, ny tsy fitoviana ara-materialy sy ny antony hafa, ny fandeferana ny fitaovana gallium nitride dia matetika eo amin'ny 1000V, ary ny azo antoka fampiasana malefaka matetika dia ambany 650V.

zavatra	GaN-TCU-C50	GaN-TCN-C50	GaN-TCP-C50
lafiny	e 50.8mm ± 0.1mm
hateviny	4.5±0.5um		4.5±0.5um
Orientation	fiaramanidina C(0001) ±0.5°
Karazana Conduction	N-karazana (tsy voafehy)	N-karazana (Si-doped)	P-karazana (Mg-doped)
fanoherana (3O0K)	<0.5 Q・cm	<0.05 Q・cm	~ 10 Q・cm
Concentration mpitatitra	< 5x10¹⁷cm^-3	> 1x10¹⁸cm^-3	> 6x1016 sm^-3
mivezivezy	~ 300 sm²/Vs	~ 200 sm²/Vs	~ 10 sm²/Vs
Dislocation Density	Latsaky ny 5x10⁸cm^-2(kajy nataon'ny FWHM an'ny XRD)
Rafitra substrate	GaN amin'ny Safira (Standard: Safidy SSP: DSP)
Faritra Surface azo ampiasaina	> 90%
Package	Fonosana ao amin'ny kilasy 100 efitra madio tontolo iainana, ao amin'ny kasety ny 25pcs na fitoeran-javatra wafer tokana, eo ambanin'ny atmosfera azota.