3 mirefy 76.2mm 4H-Semi SiC substrate wafer Silicon Carbide Semi-maniratsira SiC wafers

3 mirefy 76.2mm 4H-Semi SiC substrate wafer Silicon Carbide Semi-insulting SiC wafers Sary nasongadina

Famaritana fohy:

High quality kristaly tokana SiC wafer (Silicon Carbide) ho an'ny indostria elektronika sy optoelectronic. 3inch SiC wafer dia fitaovana semiconductor manaraka, semi-insulating silicone-carbide wafers amin'ny 3-inch savaivony. Ny wafers dia natao ho an'ny famokarana herinaratra, RF ary fitaovana optoelectronics.

Alefaso mailaka aminay

Product Detail

Tags vokatra

Product Specification

3-inch 4H semi-insulated SiC (silicon carbide) substrate wafers dia fitaovana semiconductor mahazatra. Ny 4H dia manondro rafitra kristaly tetrahexahedral. Ny semi-insulation dia midika fa ny substrate dia manana toetra mahatohitra avo lenta ary mety ho tafasaraka amin'ny fikorianan'ny ankehitriny.

Ny wafers substrate toy izany dia manana ireto toetra manaraka ireto: conductivity mafana avo lenta, fahaverezan'ny conduction ambany, fanoherana ny hafanana ambony, ary ny fahamarinan-toerana mekanika sy simika. Satria ny karbida silisiôna dia manana hantsana angovo midadasika ary mahatanty ny mari-pana ambony sy ny toetry ny saha elektrika avo lenta, ny wafers semi-insulated 4H-SiC dia ampiasaina betsaka amin'ny fitaovana elektronika herinaratra sy onjam-peo (RF).

Ny fampiharana lehibe amin'ny wafers semi-insulated 4H-SiC dia ahitana:

1--Elektronika herinaratra: Ny wafer 4H-SiC dia azo ampiasaina amin'ny fanamboarana fitaovana famarotana herinaratra toy ny MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors), IGBTs (Transistor Bipolar Insulated Gate) ary Schottky diodes. Ireo fitaovana ireo dia manana fatiantoka ambany kokoa sy fatiantoka eo amin'ny tontolon'ny volkano avo lenta sy avo lenta ary manome fahombiazana sy fahatokisana bebe kokoa.

2--Fitaovana Radio Frequency (RF): 4H-SiC semi-insulated wafers dia azo ampiasaina hanamboarana hery avo, fanamafisam-pahefana RF matetika, resistor chip, sivana ary fitaovana hafa. Ny karbida silikônina dia manana fampihetseham-peo avo lenta kokoa sy fahatoniana mafana noho ny taham-pihodinana saturation elektronika lehibe kokoa sy ny conductivity mafana kokoa.

3--Fitaovana optoelektronika: 4H-SiC semi-insulated wafers dia azo ampiasaina amin'ny famokarana laser diodes mahery vaika, mpitsikilo hazavana UV ary optoelektronika mitambatra.

Raha resaka fitarihana tsena dia mitombo ny fangatahana wafers semi-insulated 4H-SiC miaraka amin'ny fitomboan'ny sehatry ny elektronika herinaratra, RF ary optoelectronics. Izany dia noho ny fisian'ny karbida silisiôma dia manana fampiharana isan-karazany, ao anatin'izany ny fahombiazan'ny angovo, ny fiara elektrika, ny angovo azo havaozina ary ny fifandraisana. Amin'ny ho avy, ny tsenan'ny wafers semi-insulated 4H-SiC dia mbola mampanantena ary antenaina hanolo ny fitaovana silisiôma mahazatra amin'ny fampiharana isan-karazany.