4 inch SiC Wafers 6H Semi-Insulating SiC Substrates prime, research, and dummy grade
Product Specification
| kilasy | Zero MPD Production Grade (Z Grade) | Famokarana fenitra (P) | Naoty Dummy (Naoty D) | ||||||||
| savaivony | 99,5 mm~100,0 mm | ||||||||||
| 4H-SI | 500 μm±20 μm | 500 μm±25 μm | |||||||||
| Orientation Wafer |
Off axis : 4.0° mankany< 1120 > ± 0.5° ho an'ny 4H-N, On axis : <0001>±0.5° ho an'ny 4H-SI | ||||||||||
| 4H-SI | ≤1cm-2 | ≤5 sm-2 | ≤15 sm-2 | ||||||||
| 4H-SI | ≥1E9 Ω·cm | ≥1E5 Ω·cm | |||||||||
| Primary Flat Orientation | {10-10} ±5.0° | ||||||||||
| Length fisaka voalohany | 32,5 mm±2,0 mm | ||||||||||
| Length fisaka faharoa | 18,0 mm±2,0 mm | ||||||||||
| Orientation fisaka faharoa | Silicone face up: 90° CW. avy amin'ny Prime flat ±5.0° | ||||||||||
| Edge Exclusion | 3 mm | ||||||||||
| LTV / TTV / Bow / Warp | ≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm / ≤15 μm / ≤25 μm / ≤40 μm | |||||||||
| fahombiazana | C tarehy | poloney | Ra≤1 nm | ||||||||
| Si face | VIT | Ra≤0.2 nm | Ra≤0.5 nm | ||||||||
| Trika ny sisiny amin'ny hazavana mahery vaika | tsy misy | Ny halavan'ny fitambarany ≤ 10 mm, tokana halavany≤2 mm | |||||||||
| Plates Hex amin'ny hazavana mahery vaika | Faritra mitambatra ≤0.05% | Faritra mitambatra ≤0.1% | |||||||||
| Faritra polytype amin'ny hazavana mahery vaika | tsy misy | Faritra mitambatra≤3% | |||||||||
| Visual Carbon Inclusions | Faritra mitambatra ≤0.05% | Faritra mitambatra ≤3% | |||||||||
| Fikarohana silikônika amin'ny alàlan'ny hazavana mahery vaika | tsy misy | Mitambatra halavany≤1*wafer savaivony | |||||||||
| Edge Chips Avo Amin'ny Intensity Light | Tsy misy navela ≥0.2 mm ny sakany sy ny halaliny | 5 avela, ≤1 mm tsirairay | |||||||||
| Fandotoana ambonin'ny silikon amin'ny hamafin'ny avo | tsy misy | ||||||||||
| Fonosana | Kasety maro-wafer na kasety wafer tokana | ||||||||||
Diagram amin'ny antsipiriany
Vokatra mifandraika
Soraty eto ny hafatrao ary alefaso aminay






